Fototransistor, DB

Für Demonstrationsversuche zur Elektrik. Fototransistor mit Bohrung zur Aufnahme des Lichtleiters (09461-02) sowie mit integrierter Linse zur optimalen Einkopplung des Lichtstrahls.

Ausstattung und technische Daten

• Bausteingröße (mm): 82 x 82.
• Kontaktsicherheit durch Puzzleverzahnung.
• Linienbreite: 4 mm.
• Durchmesser der Kontaktfläche: 2 mm.
• Widerstand eines Kontaktes: ca. 0,02 Ohm.
• Spannung U_CE:   ≤ 50 V.
• Kollektorstromstärke I_C:   ≤ 50 mA.
• Spannung U_BE:   ≤ 7 V.
• Spannung U_R:   ≤ 30V.
• Leistung P_CE:   ≤ 200 mW.
• Wellenlänge: 400...1100 nm.